2ナノ半導体の試作に成功 報道陣に公開、量産へ節目 ラピダス

時事通信映像センター

次世代半導体の国産化を目指すラピダス(東京)は18日、回路線幅2ナノメートル(ナノは10億分の1)の半導体の試作に成功したと発表した。工場のある北海道千歳市内で、報道陣に試作品を公開した。小池淳義社長は記者会見し、目標とする2027年までの量産に向け「大きなマイルストーン(節目)を越えた」と述べた。
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